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  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FERROMAGNETISMO, CALCOGÊNIOS

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    • ABNT

      GRATENS, X. et al. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides. Applied Physics Letters, v. 116, n. 15, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5143311. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Gratens, X., Yunbo Ou,, Moodera, J. S., Rappl, P. H. O., & Henriques, A. B. (2020). Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides. Applied Physics Letters, 116( 15). doi:10.1063/1.5143311
    • NLM

      Gratens X, Yunbo Ou, Moodera JS, Rappl PHO, Henriques AB. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 15):[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5143311
    • Vancouver

      Gratens X, Yunbo Ou, Moodera JS, Rappl PHO, Henriques AB. Hypergiant spin polarons photogenerated in ferromagnetic europium chalcogenides [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 15):[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5143311
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: EP, IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA

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    • ABNT

      CAROENA, G et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, v. 102, n. 6, p. 062101, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4791787. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, 102( 6), 062101. doi:10.1063/1.4791787
    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: NANOPARTÍCULAS

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    • ABNT

      MASUNAGA, S. H. et al. Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions. Applied Physics Letters, v. 98, n. ja2011, p. 013110, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3533911. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Masunaga, S. H., Jardim, R. F., Freitas, R. S., & Rivas, J. (2011). Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions. Applied Physics Letters, 98( ja2011), 013110. doi:10.1063/1.3533911
    • NLM

      Masunaga SH, Jardim RF, Freitas RS, Rivas J. Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions [Internet]. Applied Physics Letters. 2011 ;98( ja2011): 013110.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3533911
    • Vancouver

      Masunaga SH, Jardim RF, Freitas RS, Rivas J. Increase in the magnitude of the energy barrier distribution in 'NI' nanoparticles due to dipolar interactions [Internet]. Applied Physics Letters. 2011 ;98( ja2011): 013110.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3533911
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Assunto: MAGNÉSIO

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    • ABNT

      GARCIA, Flavio et al. Tailoring magnetic vortices in nanostructures. Applied Physics Letters, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3462305. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Garcia, F., Westfahl Junior, H., Schoenmaker, J., Carvalho, E. J., Santos, A. D., Pojar, M., et al. (2010). Tailoring magnetic vortices in nanostructures. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.3462305
    • NLM

      Garcia F, Westfahl Junior H, Schoenmaker J, Carvalho EJ, Santos AD, Pojar M, Seabra AC, Bendounan A, Belkhou R, Guimarães AP. Tailoring magnetic vortices in nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3462305
    • Vancouver

      Garcia F, Westfahl Junior H, Schoenmaker J, Carvalho EJ, Santos AD, Pojar M, Seabra AC, Bendounan A, Belkhou R, Guimarães AP. Tailoring magnetic vortices in nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3462305
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESPALHAMENTO, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

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    • ABNT

      DIAZ, B et al. Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction. Applied Physics Letters, v. 92, n. 24, p. 242511/1-242511/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2945802. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Diaz, B., Granado, E., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Chitta, V. A., & Henriques, A. B. (2009). Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction. Applied Physics Letters, 92( 24), 242511/1-242511/3. doi:10.1063/1.2945802
    • NLM

      Diaz B, Granado E, Abramof E, Rappl PHO, Chitta VA, Henriques AB. Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 92( 24): 242511/1-242511/3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2945802
    • Vancouver

      Diaz B, Granado E, Abramof E, Rappl PHO, Chitta VA, Henriques AB. Magnetic ordering of EuTe/PbTe multilayers determined by x-ray resonant diffraction [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 92( 24): 242511/1-242511/3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2945802
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPALHAMENTO

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    • ABNT

      SOUZA NETO, Narcizo M et al. Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films. Applied Physics Letters, v. 89, n. 11, p. 111910/1-111910/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335782. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Souza Neto, N. M., Ramos, A. Y., Tolentino, H. C. N., Martins, A., & Santos, A. D. (2006). Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films. Applied Physics Letters, 89( 11), 111910/1-111910/3. doi:10.1063/1.2335782
    • NLM

      Souza Neto NM, Ramos AY, Tolentino HCN, Martins A, Santos AD. Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 89( 11): 111910/1-111910/3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335782
    • Vancouver

      Souza Neto NM, Ramos AY, Tolentino HCN, Martins A, Santos AD. Depth-dependent chemical and magnetic local orders in thin magnetic films [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 89( 11): 111910/1-111910/3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335782
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802
    • NLM

      Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
    • Vancouver

      Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA

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    • ABNT

      SCHOENMAKER, J et al. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy. Applied Physics Letters, v. 88, n. 6, p. 062506, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2172016. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Schoenmaker, J., Santos, A. D., Souche, Y., Seabra, A. C., & Sampaio, L. C. (2006). Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy. Applied Physics Letters, 88( 6), 062506. doi:10.1063/1.2172016
    • NLM

      Schoenmaker J, Santos AD, Souche Y, Seabra AC, Sampaio LC. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 6): 062506.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2172016
    • Vancouver

      Schoenmaker J, Santos AD, Souche Y, Seabra AC, Sampaio LC. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 6): 062506.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2172016
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
    • NLM

      Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
    • Vancouver

      Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787
    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
    • NLM

      Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
    • Vancouver

      Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Assuntos: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, DIAMANTE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, Rolando et al. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1645327. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Larico, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.1645327
    • NLM

      Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1645327
    • Vancouver

      Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1645327
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, v. 85, n. 25, p. 6209-6211, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1840121. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Lima, I. C. da C. (2004). Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, 85( 25), 6209-6211. doi:10.1063/1.1840121
    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121
    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: FILMES FINOS, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, W L et al. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'. Applied Physics Letters. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
    • NLM

      Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: NANOTECNOLOGIA, FERROMAGNETISMO, MÉTODO DE MONTE CARLO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      BOSELLI, M A et al. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1646759. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Leite, J. R., Troper, A., & Ghazali, A. (2004). Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.1646759
    • NLM

      Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1646759
    • Vancouver

      Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1646759
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN

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    • ABNT

      CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
    • NLM

      Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
    • Vancouver

      Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
    • NLM

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Assuntos: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, DIAMANTE

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    • ABNT

      LARICO, R et al. Erratum: "Isolated nickel impurities in diamond: A microscopic modelfor the electrically active centers" [Appl. Phys. Lett. 84, 720 (2004)]. Applied Physics Letters, v. 85, n. 25, p. 6993, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1841460. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Larico, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Erratum: "Isolated nickel impurities in diamond: A microscopic modelfor the electrically active centers" [Appl. Phys. Lett. 84, 720 (2004)]. Applied Physics Letters, 85( 25), 6993. doi:10.1063/1.1841460
    • NLM

      Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Erratum: "Isolated nickel impurities in diamond: A microscopic modelfor the electrically active centers" [Appl. Phys. Lett. 84, 720 (2004)] [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6993.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1841460
    • Vancouver

      Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Erratum: "Isolated nickel impurities in diamond: A microscopic modelfor the electrically active centers" [Appl. Phys. Lett. 84, 720 (2004)] [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6993.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1841460
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053
    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053
    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 20 maio 2024.
    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
    • NLM

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

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